多層片式瓷介電容器作為電子工業(yè)不可或缺的核心基礎元器件，在電子電路中起濾波、耦合、隔直、旁路等關(guān)鍵作用。作為適用于高密度微組裝工藝的多層芯片瓷介電容器，以其微型化尺寸、高容量密度、低等效串聯(lián)電阻（ESR）及低等效串聯(lián)電感（ESL）等顯著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢，在現代電子系統中扮演著(zhù)重要的角色，其戰略?xún)r(jià)值日益突顯。

在高可靠性應用領(lǐng)域，如電子對抗、雷達系統、導航制導及衛星通信等關(guān)鍵系統中，多層芯片瓷介電容器憑借其卓越性能獲得廣泛應用。在民用及工業(yè)應用領(lǐng)域，其應用前景同樣極為廣闊，目前已經(jīng)廣泛應用于5G通信基礎設施、高速光通信模塊、激光雷達等前沿技術(shù)領(lǐng)域。

隨著(zhù)射頻微波通信技術(shù)、雷達、電子站、光通信技術(shù)、精密測量?jì)x器以及自動(dòng)駕駛等高端產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，現代電子設備對小型化、輕量化、高集成度的追求日趨迫切。特別是在光通信組件集成化與汽車(chē)雷達小型化的強勁需求牽引下，市場(chǎng)對超微型多層芯片瓷介電容器的需求日益旺盛。為響應這一行業(yè)趨勢，元六鴻遠公司依托技術(shù)創(chuàng )新，成功研制出012012尺寸多層芯片瓷介電容器，尺寸代碼012012（0.30mm×0.30mm）。

該系列產(chǎn)品在關(guān)鍵的產(chǎn)品尺寸與電容量等核心性能指標上實(shí)現了突破性進(jìn)展，有效解決了微型化與高容值兼顧的技術(shù)難題。目標在于為新一代高度小型化的通信設備提供性能更優(yōu)、體積更小、可靠性更高的芯片電容解決方案，為電子信息技術(shù)向更微型、更智能的方向持續演進(jìn)提供有力技術(shù)支撐。

元六鴻遠多層芯片瓷介電容器產(chǎn)品，自面市以來(lái)憑借優(yōu)異的性能和可靠性，贏(yíng)得了市場(chǎng)的廣泛認可。為積極響應電子產(chǎn)品日益小型化、高集成化的發(fā)展要求，滿(mǎn)足客戶(hù)對更小尺寸、更高容量的迫切需求，我司在現有成熟產(chǎn)品015015（0J0J）規格（0.38mm×0.38mm×0.30mm）基礎上，成功開(kāi)發(fā)并推出全新012012（0G0G）規格（0.30mm×0.30mm×0.20mm）超小型多層芯片瓷介電容器。

此次推出的012012多層芯片瓷介電容器，其產(chǎn)品體積由015015規格的0.043mm3大幅縮減至0.018mm3，體積降幅高達約58%。該產(chǎn)品的成功研制，進(jìn)一步拓展了國內外超小型多層芯片瓷介電容器的尺寸范圍，實(shí)現了顯著(zhù)的技術(shù)突破，可為國內外客戶(hù)提供新的超小尺寸多層芯片瓷介電容器解決方案。以1000pF規格為例，012012多層芯片瓷介電容器相較于原有015015、0202尺寸實(shí)物對比如下：

元六鴻遠CT41A（MA）系列012012超小型多層芯片瓷介電容器的研發(fā)成果，標志著(zhù)公司在多層芯片瓷介電容器領(lǐng)域達到行業(yè)領(lǐng)先水平，超小芯片電容產(chǎn)品工藝平臺日趨成熟，為下游客戶(hù)開(kāi)發(fā)更前沿、更精密的電子產(chǎn)品提供了核心元器件支持！